半導体雷防護素子

TEL:0120-39-3548

SANKOSHA

製品情報

半導体雷防護素子

 
半導体雷防護素子  

半導体雷防護素子はアレスタに比べて動作特性が良く、雷サージに対して弱い電子機器を防護するのに適しています。

   
 
 

SPダイオード

 

SPダイオード

拡大

  特長
(1)両極性素子ですので、極性に関係なく回路に組み込むことができます。
(2)高速応答
立ち上がり俊度の速い異常電圧に対して、ナノ秒(1/1,000,000,000秒)以下で高速応答します。
(3)サージ耐量が向上し、漏れ電流が小さいため、多岐にわたって適用できます。
(4)エポキシ樹脂封止により、高い信頼性を実現しています。
 
電気的特性
 
型名
Model No.
ブレークダウン電圧
BreakDownVoltage
漏れ電流
LeakageCurrent
最大制限電圧
Max.Clamp.V
VC(V) *1
最大許容電流
PeakCurrent
IPP(A) *2
最大許容電力
PeakPower
Pp(kW) *3
VB(V) @IT(mA) IL(μA) @VSO(V)
B1.5E010 9〜11 1 ≦50 8.5 15 100 1.5
B1.5E016 13.5〜17 1 ≦5 12.5 22.5 68
B1.5E027 23.5〜30 1 ≦5 21.5 38 38
B2.8E036 31.5〜40 1 ≦5 29 50 56 2.8
 
 
型名
Model No.
静電容量
Capacitance
C(pF) @100kHz
温度係数
Temp.Coelf
TC(%/℃)
B1.5E010 〜3900 〜0.06
B1.5E016 〜2500 〜0.10
B1.5E027 〜1400 〜0.08
B2.8E036 〜1600 〜0.06
 
*1 VC:IPP通電時の最大制限電圧
*2 IPP:波形10/1000μsの最大許容電流
*3 PeakPower:Pp=VC×IPP
 
 
 

SSPD(Silicon Surge Protective Device)

 

SSPD(Silicon Surge Protective Device)

拡大

  近年の多様な通信システムは、繊細な電子回路で構成されるため雷サージを代表とする過電圧に対し非常に弱くなっています。
SSPD PEシリーズは、これら通信システムのサージ防護用として開発された高性能半導体サージ防護デバイスです。
 
●高速応答(ナノ秒応答)
●SSPD一つで1回線の接地間、線間保護が同じ防護レベルで可能な3極構造
●動作時の線間電圧が極めて少ない
●GDTに比べてdv/dt特性が優れている
●ADSL回線に使用可能

>雷防護ソリューション製品へ戻る
 

展示会情報

雷被害相談室

雷被害でお困りの方は、
以下よりご相談ください。

お電話でのお問い合わせ 0120-39-3548

メールでのお問い合わせ

お問い合わせ ボタン

技術資料

Webカタログ

オンラインショップ


ピックアップ

長年培ってきた技術とノウハウを結集した雷対策に関する資料や、雷について知っておきたい情報など、さまざまなコンテンツをご用意しています。

  • 技術資料・用語集
  • 配線事例
  • FAQ 雷対策でよくある質問
  • 雷を知る基礎知識

ページトップ