半導体雷防護素子
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半導体雷防護素子はアレスタに比べて動作特性が良く、雷サージに対して弱い電子機器を防護するのに適しています。
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| ※参考資料 |
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SPダイオード
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特長
（1）両極性素子ですので、極性に関係なく回路に組み込むことができます。
（2）高速応答
立ち上がり俊度の速い異常電圧に対して、ナノ秒(1/1,000,000,000秒)以下で高速応答します。
（3）サージ耐量が向上し、漏れ電流が小さいため、多岐にわたって適用できます。
（4）エポキシ樹脂封止により、高い信頼性を実現しています。 |
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電気的特性
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型名
Model No. |
ブレークダウン電圧
BreakDownVoltage |
漏れ電流
LeakageCurrent |
最大制限電圧
Max.Clamp.V
VC(V) *1 |
最大許容電流
PeakCurrent
IPP(A) *2 |
最大許容電力
PeakPower
Pp(kW) *3 |
| VB(V) |
@IT(mA) |
IL(μA) |
@VSO(V) |
| B1.5E010 |
9〜11 |
1 |
≦50 |
8.5 |
15 |
100 |
1.5 |
| B1.5E016 |
13.5〜17 |
1 |
≦5 |
12.5 |
22.5 |
68 |
| B1.5E027 |
23.5〜30 |
1 |
≦5 |
21.5 |
38 |
38 |
| B2.8E036 |
31.5〜40 |
1 |
≦5 |
29 |
50 |
56 |
2.8 |
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型名
Model No. |
静電容量
Capacitance
C(pF) @100kHz |
温度係数
Temp.Coelf
TC(%/℃) |
| B1.5E010 |
〜3900 |
〜0.06 |
| B1.5E016 |
〜2500 |
〜0.10 |
| B1.5E027 |
〜1400 |
〜0.08 |
| B2.8E036 |
〜1600 |
〜0.06 |
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*1 VC:IPP通電時の最大制限電圧
*2 IPP:波形10/1000μsの最大許容電流
*3 PeakPower:Pp=VC×IPP |
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SSPD(Silicon Surge Protective Device)
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近年の多様な通信システムは、繊細な電子回路で構成されるため雷サージを代表とする過電圧に対し非常に弱くなっています。
SSPD PEシリーズは、これら通信システムのサージ防護用として開発された高性能半導体サージ防護デバイスです。 |
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●高速応答(ナノ秒応答)
●SSPD一つで1回線の接地間、線間保護が同じ防護レベルで可能な3極構造
●動作時の線間電圧が極めて少ない
●GDTに比べてdv/dt特性が優れている
●ADSL回線に使用可能 |
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